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【硬件有道】:开关电源EMI整改频段干扰原因及抑制办法

发布于 2014/09/26-16:24 标签: /

开关电源EMI整改频段干扰原因及抑制办法

开关电源是当前智能硬件创业者产品都可能遇到的部分,在追求小型化的过程过,更多的需要关注EMI,EMC问题,这是产品过3C认证的基础。那么在开关电源EMI整改中,有哪些关于不同频段干扰原因及抑制办法?

1MHZ以内以差模干扰为主

1.增大X电容量;
2.添加差模电感;
3.小功率电源可采用PI型滤波器处理(建议靠近变压器的电解电容可选用较大些)。

1MHZ5MHZ差模共模混合

采用输入端并联一系列X电容来滤除差摸干扰并分析出是哪种干扰超标并以解决,

1.对于差模干扰超标可调整X电容量,添加差模电感器,调差模电感量;
2.对于共模干扰超标可添加共模电感,选用合理的电感量来抑制;
3.也可改变整流二极管特性来处理一对快速二极管如FR107一对普通整流二极管1N4007。

5M以上以共摸干扰为主,采用抑制共摸的方法。

对于外壳接地的,在地线上用一个磁环串绕2-3圈会对10MHZ以上干扰有较大的衰减作用;
可选择紧贴变压器的铁芯粘铜箔,铜箔闭环.
处理后端输出整流管的吸收电路和初级大电路并联电容的大小。

对于2030MHZ

1.对于一类产品可以采用调整对地Y2电容量或改变Y2电容位置;
2.调整一二次侧间的Y1电容位置及参数值;
3.在变压器外面包铜箔;变压器最里层加屏蔽层;调整变压器的各绕组的排布。
4.改变PCBLAYOUT;
5.输出线前面接一个双线并绕的小共模电感;
6.在输出整流管两端并联RC滤波器且调整合理的参数;
7.在变压器与MOSFET之间加BEADCORE;
8.在变压器的输入电压脚加一个小电容。
9.可以用增大MOS驱动电阻.

3050MHZ 普遍是MOS管高速开通关断引起

1.可以用增大MOS驱动电阻;
2.RCD缓冲电路采用1N4007慢管;
3.VCC供电电压用1N4007慢管来解决;
4.或者输出线前端串接一个双线并绕的小共模电感;
5.在MOSFET的D-S脚并联一个小吸收电路;
6.在变压器与MOSFET之间加BEADCORE;
7.在变压器的输入电压脚加一个小电容;
8.PCB心LAYOUT时大电解电容,变压器,MOS构成的电路环尽可能的小;
9.变压器,输出二极管,输出平波电解电容构成的电路环尽可能的小。

50100MHZ普遍是输出整流管反向恢复电流引起

1.可以在整流管上串磁珠;
2.调整输出整流管的吸收电路参数;
3.可改变一二次侧跨接Y电容支路的阻抗,如PIN脚处加BEADCORE或串接适当的电阻;
4.也可改变MOSFET,输出整流二极管的本体向空间的辐射(如铁夹卡MOSFET;铁夹卡DIODE,改变散热器的接地点)。
5.增加屏蔽铜箔抑制向空间辐射.

200MHZ以上开关电源已基本辐射量很小,一般可过EMI标准

补充说明:

开关电源高频变压器初次间一般是屏蔽层的,以上未加缀述。开关电源是高频产品,PCB的元器件布局对EMI.,请密切注意此点。开关电源若有机械外壳,外壳的结构对辐射有很大的影响.请密切注意此点。主开关管,主二极管不同的生产厂家参数有一定的差异,对EMC有一定的影响。

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